| 爐體結構 | 獨特的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），溫度可控型原位蒸發(fā)槍，最高溫度可達1350℃，適合用HPCVD法生長多層膜
·爐體為三溫區(qū)開啟式管式爐，由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制每個溫區(qū)，其控溫精度可達±0.1℃
·雙層殼體結構，并帶有風冷系統(tǒng)
·采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，表面涂有高溫氧化鋁涂層，可提高加熱效率，和延長使用壽命
·爐體開啟式設計，便于跟換爐管，并且?guī)в虚_啟斷電功能，保證操作安全
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| 電源要求 | ·單相208~240VAC
·最大功率9KW（需60A的空氣開關） |
| 加熱區(qū) | ·三個加熱區(qū)，每個加熱區(qū)長度：300mm
·總加熱區(qū)長度：900mm |
| 恒溫區(qū) | 恒溫區(qū)長度：625mm(±2℃）
（三個溫區(qū)設置同樣的加熱溫度） |
| 工作溫度 | ·最高工作溫度：1200℃（<1hr）
·連續(xù)工作溫度：100~1100℃ |
| 升溫速率 | ≤ 10°C /min |
| 原料推進系統(tǒng)&蒸發(fā)槍 | 獨特的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），利用推送系統(tǒng)可將3個不同蒸發(fā)源同時/依次送入3個獨立的小石英管中，精確地找到所需溫度，保證實驗精確性和重復性
·蒸發(fā)槍：采用鎢線圈加熱，氧化鋁坩堝裝料，其最高溫度可達1350℃，控溫精度±1℃
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| 坩堝移動控制 | ·坩堝的移動速度和移動距離通過步進電機驅動，可設定控制
·最大移動距離: 530mm （精度1mm） |
| 沉積樣品臺 | ·特殊設計樣品臺，帶有手動遮擋板，放置原料交替試導致所制備樣品污染
·可手動調節(jié)樣品臺在爐管中的位置
·可選擇水平樣品臺，或傾斜式樣品臺
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| 溫度控制系統(tǒng) | ·三個溫區(qū)由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制，采用PID方式調節(jié)溫度，可設置50段升降溫程序
·歐陸儀表控制，控溫精度可達±0.1℃
·帶有超溫和斷偶報警
·三個K型熱偶（每個溫區(qū)1個）
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| 管式爐配置 | ·爐管，采用高純石英管，尺寸為Φ130（外）mm×Φ122（內）mm×1200mm（長）
·配有2個氧化鋁管堵，防止熱輻射（加熱前管堵必須放入到爐管內）
·可選購石英管堵，保證反應環(huán)境潔凈
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| 真空計 | ·防腐型復合真空計（皮拉尼和隔膜規(guī)）
·測量范圍：3.8E-5 ~ 1125 torr |
| 真空泵&真空度 | ·真空度：10E-2 torr（采用機械泵），10-E5 torr(采用分子泵)
可在本公司選用各種真空泵 |
| 氣體流量控制系統(tǒng) | 配有4通道氣體流量控制系統(tǒng)，采用觸摸屏設定參數
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| 循環(huán)水冷機 | 設備采用水冷不銹鋼密封法蘭，所以配有循環(huán)水冷機
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| 設備尺寸 | 4000×600×1500m
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| 國家專利 | 專利名稱：一種多樣品多通道自動切換進樣系統(tǒng)
專利號：ZL 2016 1 0396131.5
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