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BGO晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 鍺酸鉍（Bi4Ge3O12簡稱BGO）是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機氧化物晶體，它不溶于水，在高能粒子或高能射線（x-射線、γ-射線）激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長的綠色熒光。BGO晶體具有強阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點，所以是一種優(yōu)良的閃爍體，廣泛應用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=10.518? | 純度： | >99.99％ | 密度： | 7.12g/cm3 | 硬度： | 5( mohs) | 熔點： | 1050 ℃ | 透過范圍： | 350~5500nm | 電光系數(shù) ： | r41=1.03x10-12m/V | 折射率： | 2.098@ 632.8nm | 激發(fā)光譜： | 305nm | 臨界能量： | 10.5Mev | 能量分辨率： | 20%511 keV @ | 生長方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （100） | 晶向公差： | ±0.5°內(nèi) | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | Ra<5A |
注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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