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InSb晶體
- 產品概述：
- 在III-V族半導體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質量和最大g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進行自旋電子學研究與拓撲量子計算等前沿物理探索的理想材料。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 技術參數(shù)
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 6.06 ? | 硬度（Mohs）： | 3.8 | 密度： | 5.66g/cm3 | 熔點： | 942℃ | 摻雜： | None;Te;Ge | 導電類型： | N型 和 P型 | 載流子濃度： | 1-5x1014 1-2x1015 | 位錯密度： | <2x102 cm-2 | 生長方法： | FZ 或 LCE |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （100）
| 公差： | ±0.5o | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | <15? | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。 |
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