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SiO2晶體
- 產(chǎn)品概述：
- SiO2單晶水晶片是一種極好的基片，用于無線通訊工業(yè)的微波濾波器。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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SiO2 晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=4.914? c=5.405 ? | 密度： | 2.533 | 熔點(diǎn)： | 1700℃ ( phase transition point: 573.1oC) | 莫氏硬度：（Mohs） | 7.0 | 折射率： | 1.544 | 介電常數(shù)： | 3.6 | 熱膨脹系數(shù) | 5×10-7/k | 生長方法： | 水熱法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | Y、X或Z切，Y在30o~42.75 o ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值 | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm; | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 5A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。 |
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