- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
Cd1-xZnxTe晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體名稱 | Cd 1-x ZnxTe | 生長方法 | Bridgeman | 結(jié)構(gòu) | 立方 | 晶格常數(shù)(A) | a = 6.483 – 6.446 | 密度 ( g/cm3) | 5.605 | 熔點 (oC) | 1975 | 熱容 (J /g.k) | 0.125 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K) | 6.5 // a 3.7 // c | 類型 | P-型 | 導熱系數(shù)( W /m.k at 300K ) | 30 | 透明波長（μ） | 0.4 ~ 0.6 | 電阻率（ohm-cm） | 低 R: 5x104 高: R:> 106 | 載體濃度（cm-3） | 低 R: ~ 1015 高: R: ~ 1012 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向：<111>； 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm； 拋光情況：細磨、單拋、雙拋； 常規(guī)電阻率:R>1x10^6 Ω.cm； 注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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