- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Ge晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 化學(xué)符號(hào)為Ge?，主要用途有：制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件及太陽能電池襯底等材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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密度： | 5.765 g/cm3 ； | 熔點(diǎn)： | 937.4 ℃； | 熱傳導(dǎo)性： | 640； | 摻雜物質(zhì)： | 不摻雜；摻Sb；摻In或Ga； | 類型： | /；N；P； | 電阻率W.cm： | >35；0.05；0.05-0.1； | EPD： | < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 |
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| 常規(guī)尺寸
|
晶體方向: <111>，<100>and<110>± 0.5° 或特殊的方向； 標(biāo)準(zhǔn)拋光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm； （<110> Ra<5A，不化拋） 注：也可根據(jù)客戶需求提供特殊尺寸和方向的基片 |
| 備注
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋單片盒或25片插盒封裝 |
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