- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
氧化鎂(MgO)
- 產(chǎn)品概述:
- 氧化鎂(MgO)是極好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光電薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2英吋及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。?可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。科晶公司用一種特殊的電弧法生長(zhǎng)出高純度的尺寸約2”x2”x?1”的低成本的MgO單晶,采用化學(xué)機(jī)械拋光制備出高質(zhì)量原子級(jí)表面的基片。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 立方 | 晶格常數(shù) | a=4.216? | 生長(zhǎng)方法 | 電弧法 | 熔點(diǎn) | 2850℃ | 密度 | 3.58g/cm3 | 莫氏硬度 | 5.5 Mohs | 熱膨脹系數(shù) | 12.8×10-6/℃ | 介電常數(shù) | 9.8 | 光學(xué)透過(guò) | >90% @ 200~400nm >98% 500~1000nm | 晶體解理面 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸:10 x 10 x 0.5 mm、5x5x0.5mm、dia 1″x0.5mm、dia 2″x0.5mm; 常規(guī)晶向: 晶向公差:+/-0.5度 拋光情況:?jiǎn)螔伝螂p拋 ( 注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝 |
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