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鈮鎂鈦酸鉛(PMN-PT)晶體基片
產品概述:
用改進的Bridgman法生長出了高質量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT,該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學性能和熱釋電性能,不僅可以滿足應用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料,而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體,歡迎國內外各科研院所和公司企業(yè)定購我們的單晶產品,進行相關的科學研究及器件研發(fā)和生產。
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技術參數(shù)

化學分子式:

(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x

結構:

R3m, Rhombohedral斜方六面體

晶格:

a0 ~4.024?(pseudo-cubic, varieswith composition )

熔點:

1280 oC

密度:

8.1  g/cm3

壓電系數(shù)d33    

>2000 pC/N

軸接常數(shù)k33 (longitudinal mode) 

>92%

kt(thickness mode)

59-62%

k33’(beam mode)   

84-88%

介電常數(shù)e(at 1kHz after poling)

4000 – 6000

介電損耗:

tan d<0.9

居里溫度 

135-150°C

矯頑場大概 

2-3kV/cm 

剩余極化強度 

20uC/cm2


產品規(guī)格

常規(guī)晶向:<100>、<110>、 <111>;公差:+/-0.5度

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

拋光情況:單拋或雙拋,Ra<15A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸;

典型性能

PMN-PT <001>  

密度: 8.1g/cm3;

壓電常數(shù):1800-2400 d33 Pc/N

耦合系數(shù):0.6-0.65Kt

耦合系數(shù):0.9-0.0.95kp

介電常數(shù):5000-7000

損耗:<1

居里溫度:145+/-3℃

Zggx10(6)kg/m2s:29

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋封裝

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