- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 切割設(shè)備
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- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
鋱鎵石榴石(TGG)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- TGG單晶具較大的磁光常數(shù)、低的光損失、高熱導(dǎo)性和高激光損傷閾值， 廣泛應(yīng)用于YAG 、摻Ti藍(lán)寶石等多級放大、環(huán)型、種子注入激光器中。也是用于制作法拉第旋光器與隔離器的最佳磁光材料，適用波長400-1100nm（不包括470nm-500nm）。法拉第旋光器由TGG晶棒和一個特殊設(shè)計的磁體組成。穿過磁光材料的光束的偏振方向?qū)⒃诖艌鲎饔孟掳l(fā)生偏轉(zhuǎn)，其偏轉(zhuǎn)方向只與磁場方向有關(guān)，與光束傳播方向無關(guān)。光隔離器由一個45度偏轉(zhuǎn)的旋光器和一對適當(dāng)放置的偏振器組成， 它使光束僅能沿一個方向通過，而阻斷反向傳播的光束。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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分子式 | Tb3Ga5O12 | 晶格常數(shù) | a=12.355 | 生長方法 | 提拉法 | 密度 | 7.13g/cm3 | 莫氏硬度 | 8.0 | 熔點 | 1725℃ | 折射率 | 1.954 at 1064nm | 溫度系數(shù) | 9.4x10-6℃-1 | 維爾德常數(shù) | 0.12min/Oe.cm at 1064nm |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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晶體元件標(biāo)準(zhǔn)尺寸： 晶向：<111> within 5 degrees； 波前畸變：<1/8 wave total （于633nm測量）； 尺寸：10mmX10mmX0.5mm； 注：可以根據(jù)客戶需要提供特殊尺寸及方向的基片。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋 |
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