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光學(xué)級(jí)摻鎂鈮酸鋰 晶片
- 型號(hào)：
- MgOLiNbO3
- 產(chǎn)品概述：
- 純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點(diǎn)是抗激光損傷闕值很低，這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當(dāng)摻入5mol%MgO后，所生長MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收邊紫移至310mm，OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
軸向： | Z cut （+/-0.2°） | 直徑： | 76.2mm(+/-0.3mm） | 基準(zhǔn)面： | 22mm(+/-2mm） | 厚度： | 500um(+/-5um）/1000um(+/-5um） | 晶片背面： | 雙面拋光 | TTV： | ≤6um | WARP： | ≤20um | 濃度： | 4.9-6mol% | 邊緣倒角： | edge rounding |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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