- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
鈮酸鋰
- 型號(hào)：
- LiNbO3
- 產(chǎn)品概述：
- 鈮酸鋰是非線性光學(xué)級(jí)晶體，廣泛應(yīng)用于參量振蕩器、倍頻、聲光器件、光學(xué)調(diào)制器。MgO的摻入可有效提高晶體的抗損傷閾值、科晶公司可以提供大量φ2"，φ3"及各種其它尺寸的光學(xué)級(jí)LiNbO3基片，質(zhì)量上乘，價(jià)格優(yōu)惠。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 三方，a=b=5.148?,c=13.863? | 生長(zhǎng)方法 | 提拉法 | 熔點(diǎn) | 1250℃ | 比重 | 4.64g/cm2 | 居里溫度 | ～1140℃ | 莫氏硬度 | 5 Mohs | 熱膨脹系數(shù) | a11=15.4×10-6/K a33=7.5×10-6/K | 折射率 | n0=2.286 ne=2.203 @632.8nm | 光譜透過(guò)波長(zhǎng) | 0.4～2.90μm | 非線性系數(shù) | D33=34.45,d31=d15=5.95,d22=13.07(pmV-1) | 電光系數(shù) | γ13=9,γ22=3.4,γ33=31, | 光譜透過(guò)范圍透過(guò)率 | 370～5000nm
>68% @632.8nm | 表面粗糙度Ra: | <5A | 塞米爾方程（λ：um) | n02(λ)=4.9048+0.11768/(λ2-0.04750)-0.027169λ2
ne2(λ)=4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.021950λ2 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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晶體 | 光學(xué)級(jí)LiNbO3 | 聲表級(jí)LiNbO3 | 軸向 | X cut / Z cut （+/-0.2°） | Y cut/64°Y cut/128°Y cut | 直徑 | dia3"+/-0.3mm dia100mm+/-0.3mm | dia3"+/-0.3mm dia100mm+/-0.3mm | 基準(zhǔn)面 | 22mm+/-2mm 32mm+/-2mm | 22mm+/-2mm 32mm+/-2mm | 厚度 | 500um+/-5mm 1000um+/-5mm | 500um+/-20mm 350um+/-20mm | 表面質(zhì)量 | 雙面拋光 | 雙面拋光 | TTV | ≤10um | ≤10um | 居里溫度 | 1142℃+/-0.7℃ | 1142℃+/-3℃ | 邊緣倒角 | edge rounding | edge rounding （DTA method） |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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