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WSe2二硒化鎢
產品概述:
應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
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產品名稱

WSe2二硒化鎢


技術參數(shù)

類型:

CVT法人工合成

純度:

>99.99%

外觀:

黑色

電導:

半導體

帶隙:

單層直接帶隙 約1.66eV

常規(guī)尺寸:

~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

晶體結構:六方晶系
晶體常數(shù):a=3.28?    c=12.98?   α=β=90°  γ=120°
生長方法:CVT  化學氣相傳輸


標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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