	型號(hào)	管徑
科晶 OTF 系列	OTF-1200X-S	Φ25、Φ50
	OTF-1200X	Φ50、Φ60、Φ70、Φ80、Φ100、Φ130
科晶 GSL 系列	GSL-1100X-S	Φ20、Φ50
	GSL-1100X-6-S	Φ152
	GSL-1100X-8.5-S	Φ216

b.剛玉管 ≤1800°C （剛玉管不建議真空環(huán)境下使用）

http://m.zjylgc.com/productsA_detail/productId=374.html

	型號(hào)	管徑
科晶 GSL 系列	GSL-1400X	Φ60、Φ80
	GSL-1500X	Φ80
	GSL-1600X	Φ60、Φ80
	GSL-1700X	Φ60
	GSL-1750X	Φ60
	GSL-1800X	Φ60

例如：

d.800°C≤SS310 管:≤1000°C(高壓力/真空爐)

e.900°C≤超耐熱不銹鋼管:≤1000°C(高壓力/真空爐)

！?。?！多大的爐管放多大的坩堝及樣品

3、根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求選擇單溫區(qū)管式加熱爐和多溫區(qū)管式加熱爐，多溫區(qū)較單 溫區(qū)會(huì)設(shè)有多個(gè)熱電偶，n 溫區(qū)加熱爐的恒溫區(qū)比(n-1)溫區(qū)的加熱爐恒溫區(qū)要長(zhǎng)，部分儀器尺寸變大。

管式爐的溫區(qū)作用及如何選擇？

（1）恒溫區(qū)的作用：

恒溫區(qū)一般指加熱爐內(nèi)的某一段區(qū)間內(nèi)各點(diǎn)溫度基本一致，樣品放置在這一區(qū)間內(nèi)，樣品各處受到的溫度會(huì)基本一致。（中心區(qū)域溫差小于+ / - 1°C）

（2）恒溫區(qū)不同帶來(lái)的變化：

恒溫區(qū)的增加或減少可能會(huì)改變儀器的尺寸，儀器整體會(huì)變長(zhǎng)變大。

（3）恒溫區(qū)選擇舉例

選擇合適的恒溫區(qū)，一定要先根據(jù)實(shí)驗(yàn)樣品的尺寸或?qū)嶒?yàn)要求的受熱體積來(lái)選擇

A、實(shí)驗(yàn)樣品尺寸大于儀器恒溫區(qū)，需要選擇多溫區(qū)來(lái)增加恒溫區(qū)的長(zhǎng)度，

B、根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求需要多個(gè)溫度梯度時(shí)，這就需要多溫區(qū)來(lái)實(shí)現(xiàn)

例如：通過(guò)物理沉積方式在基片上生長(zhǎng)二維材料，原料高溫?fù)]發(fā)后，利用載氣向低溫端移動(dòng)，一定溫度下在基片上生長(zhǎng)。（相鄰兩個(gè)溫區(qū)最大溫差 300°C）

請(qǐng)注意加熱爐加熱區(qū)分為總加熱區(qū)長(zhǎng)度（加熱源能覆蓋的區(qū)域）和恒溫區(qū)長(zhǎng)度。恒溫區(qū)總是小于總加熱區(qū)。請(qǐng)選擇一個(gè)恒溫爐區(qū)尺寸超過(guò)您樣品的加熱爐。

4、根據(jù)功能選擇加熱爐:

①管式爐為基礎(chǔ)加熱系統(tǒng)，您可以根據(jù)不同的需求選擇成套系統(tǒng)

如 CVD、PECVD、HPCVD、ALD、石墨烯和 2 維材料生長(zhǎng)系統(tǒng)等。例如：生長(zhǎng)石墨烯，所需要的 PECVD 系統(tǒng)

整個(gè)系統(tǒng)包括加熱爐系統(tǒng)、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、通風(fēng)系統(tǒng)、氫氣報(bào)警系統(tǒng)

低真空 CVD 系統(tǒng)	http://m.zjylgc.com/products_listA1_1/pmcId=1062.html
低真空 CVD 系統(tǒng)	http://m.zjylgc.com/products_listA1_1/pmcId=1063.html
PECVD	http://m.zjylgc.com/product/14835/type.html
HPCVD	http://m.zjylgc.com/product/14835/type.html
ALD	http://m.zjylgc.com/product/14835/type.html